容量：16M字節(jié)。
更好的用戶體驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲(chǔ)卡三菱Q64TCRT。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報(bào)告、生成報(bào)表及一般報(bào)告。
這些資料可應(yīng)用于啟動(dòng)時(shí)的數(shù)據(jù)分析、追溯等Q64TCRT
只需插入SD存儲(chǔ)卡，即可自動(dòng)記錄。
只需在CPU中插入保存了記錄設(shè)定文件的SD存儲(chǔ)卡，即可自動(dòng)開始記錄。
即使在需要進(jìn)行遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)收集時(shí)，
通過郵件接收記錄設(shè)定文件并將其到SD存儲(chǔ)卡中后，
即可立即開始記錄三菱Q64TCRT。輸入點(diǎn)數(shù)：伺服外部信號(hào)32點(diǎn)，8軸。
輸入方式：源型/漏型。
輸入輸出占用點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程三菱Q64TCRT。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高三菱鉑電阻型溫度調(diào)節(jié)模塊。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
大小端模式：小端模式。
SD存儲(chǔ)卡：可使用。
OS：VxWorks 6.8.1版。
對應(yīng)信息處理和穩(wěn)定I/O控制的型。
C語言控制器是可在長期穩(wěn)定供給、高可靠性、、靈活的MELSEC上執(zhí)行C語言程序的革命性開放平臺(tái)三菱鉑電阻型溫度調(diào)節(jié)模塊。
包括預(yù)安裝有VxWorks，
這C語言控制器可與MELSEC-Q系列的各種模塊、
合作伙伴產(chǎn)品以及開放源代碼、
客戶端程序資產(chǎn)等組合使用，構(gòu)建各種系統(tǒng)三菱鉑電阻型溫度調(diào)節(jié)模塊。
作為可在所有場景下使用，可替代電腦、微機(jī)的新平臺(tái)，
MELSEC C語言控制器更牢固，更簡單，更，更靈活，今后也裝繼續(xù)不斷發(fā)展。E81WH4W、QE83WH4W專用變壓器。
可簡單地測量多種能量信息的電能測量模塊產(chǎn)品群。
僅用一個(gè)模塊，即可測量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數(shù)以及頻率有關(guān)的各種詳細(xì)信息。
無需梯形圖程序即可持續(xù)監(jiān)視小值和大值，亦可執(zhí)行2種類型的上限/下限報(bào)警。
只有在ON狀態(tài)期間，才可測量輸出設(shè)備所使用的電量。
因此可獲得設(shè)備運(yùn)行期間的電量以及節(jié)拍單位內(nèi)的的電量Q64TCRT。
在一個(gè)插槽中使用3相3線式產(chǎn)品多可測量4個(gè)電路，
使用3相4線式產(chǎn)品多可測量3個(gè)電路，
因此通過多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實(shí)施電能測量三菱Q64TCRT。
例如，可使用一個(gè)模塊測量來自控制面板干線的其他負(fù)載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。