E3Z-D82檢測(cè)方式:擴(kuò)散反射型。
連接方式:導(dǎo)線引出式（2m）3、4 。
檢測(cè)距離:1m。
輸出方式：PNP輸出。
實(shí)現(xiàn)小型、長(zhǎng)距離、節(jié)省電力和
節(jié)省能源的光電傳感器的標(biāo)準(zhǔn)型
E32-T51種類：耐環(huán)境型；耐熱，
特長(zhǎng)：耐熱：150℃，
形狀/檢測(cè)距離（mm）：1000；760；500(200) ，
彎曲半徑(mm):R35歐姆龍E2E-X8MD2-M1G-ZE2E-X8MD2-M1G-Z
標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)物體(小檢測(cè)物體)(mm) 1：φ1.5(φ0.1)，
滿足多樣化需求的光纖單元螺紋長(zhǎng)度為長(zhǎng)尺寸的接近傳感器。
提升緊固強(qiáng)度外，還標(biāo)配導(dǎo)線保護(hù)器。
提升指示燈的可視性，所有機(jī)型全部采用扳手夾緊用銑切歐姆龍E2E-X8MD2-M1G-Z。
種類：交流2線式。
形狀：屏蔽，M18。
檢測(cè)距離：5mm。
動(dòng)作模式：NO。光量是歐姆龍額定比的10倍。
使用IP67即使濺到水也能保持穩(wěn)定。
堅(jiān)固的壓鑄機(jī)殼。E32-DC200F4種類：標(biāo)準(zhǔn)型；標(biāo)準(zhǔn)，
特長(zhǎng)：M3螺釘（小型）帶套管，
彎曲半徑(mm):R10歐姆龍E2E-X8MD2-M1G-Z。
標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)物體(小檢測(cè)物體)(mm) 1：(φ0.005)，
滿足多樣化需求的光纖單元E3JM-DS70M4檢測(cè)方式：擴(kuò)散反射型，
連接方式：端子板型，
檢測(cè)距離：700mm。
輸出狀態(tài):入光ON;遮光時(shí)ON;開關(guān)轉(zhuǎn)換式。
輸出:繼電器。
實(shí)現(xiàn)降低成本的2種類型本體：SmartClick接插件中繼型 (M12)，標(biāo)準(zhǔn)型歐姆龍接近傳感器(標(biāo)準(zhǔn)型)。
形狀：屏蔽，M12。
檢測(cè)距離：3mm。
輸出形式：直流2線式 ①-④插針配置。
動(dòng)作模式：NO。
防飛濺的氟樹脂涂層型接近傳感器。
拔群的耐噴濺性。
系列中增加了長(zhǎng)距離型。長(zhǎng)檢測(cè)距離15mm。
直流2線式。
備有接插件中繼型歐姆龍接近傳感器(標(biāo)準(zhǔn)型)。具有更大的傳感距離的安全安裝。
尺寸：M8，屏蔽。
檢測(cè)距離：2mm。
連接方式：M8連接器（3針）。
機(jī)身材料：不銹鋼。
螺紋長(zhǎng)度（總長(zhǎng)度）：49(61)。
輸出形式：NPN。
動(dòng)作模式：NO歐姆龍接近傳感器(標(biāo)準(zhǔn)型)。狹縫寬度：φ0.5mm。
安裝方法：嵌入型。
適用型號(hào)：E3Z-T□□。項(xiàng)目：Lite控制器器E2E-X8MD2-M1G-Z。
描述：BOX型控制器。
處理項(xiàng)目：無(wú)。
照相機(jī)個(gè)數(shù)：22個(gè)歐姆龍E2E-X8MD2-M1G-Z。
輸出：PNP。
性能通過(guò)與處理器相得益彰的獨(dú)創(chuàng)軟件結(jié)構(gòu)得以大化。
專為四核處理器而設(shè)計(jì)的軟件自動(dòng)確定更快的處理方案。
即是對(duì)于為系統(tǒng)帶來(lái)較大負(fù)載的高分辨率照相機(jī)和檢索處理，
也已實(shí)現(xiàn)高的速度。