電壓：AC100-240V 50/60HZ（寬范圍）。
操作電壓范圍：AC85-265V。
輸出容量：DC5V:6A DC24V:0.5A。
電源設(shè)置：DC24V:0.5AC200H-OD219手冊(cè)。
在選擇電源單元時(shí)，詳細(xì)情況參考CQM1H操作手冊(cè)。
交流電源需要100-240V交流電源輸入，
兩種型號(hào)有24V直流電壓輸出C200H-OD219
CQM1H的左端蓋是電源單元的一部分。cmos-ram單元：電容器備份。
UM：7K字；
DM：1K字。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒C200H-OD219手冊(cè)。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。輸入點(diǎn)數(shù)：96點(diǎn)。
輸入電壓和電流：約5mA，24VDC。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，最多可控制960點(diǎn)C200H-OD219手冊(cè)。
CS1提高高級(jí)空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)。或者，通過按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)。
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能歐姆龍可編程控制器手冊(cè)。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，CPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新。
但是，借助新CS1，通過使用DLNK指令，可立即刷新I/O。
立即刷新特定于CPU總線單元的過程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過程歐姆龍可編程控制器手冊(cè)。輸出點(diǎn)數(shù)：64點(diǎn)。
開關(guān)容量：DC12～24，0.3A，漏型。
所需字?jǐn)?shù)：4字。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，最多可控制960點(diǎn)。
CS1提高高級(jí)空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)歐姆龍可編程控制器手冊(cè)。或者，通過按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)。
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷刷新期間，CPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新C200H-OD219替換指南手冊(cè)。
但是，借助新CS1，通過使用用DLNK指令，可立即刷新I/OC200H-OD219手冊(cè)。
立即刷新特定于CPU總線單元的過程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過程。